SI2314EDS-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SI2314EDS-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Vishay Intertechnology SI2314EDS-T1-GE3 Continuous Drain Current Id: 3.77A Drain Source Voltage Vds: 20V On Resistance Rds(on): 27mohm Power Dissipation Pd: 750mW Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V Threshold Voltage Vgs Typ: 950mV Transistor Polarity: N Channel Product Category: MOSFET RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 12 V Continuous Drain Current: 4.9 A Resistance Drain-Source RDS (on): 33 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-236-3 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 750 mW Factory Pack Quantity: 3000 Part # Aliases: SI2314EDS-GE3
• Количество страниц
  8 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI2314EDS-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 158,42 KB